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AM29F400BT-70EF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, NOR FLASH MEMORY MODULE, SERIES AM29F400B, 4 MBIT, 5 VDC
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CYPRESS SEMI
CY3235-PROXDET
DISCONTINUED BY MANUFACTURER DEVELOPMENT KIT; SILICON MANUFACTURER:CYPRESS; SILICON CORE NUMBER:CY8C21434; KIT APPLICATION TYPE:SENSING - TOUCH / PROXIMITY; APPLICATION SUB TYPE:P
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INFINEON
FF400R12KE3-S5
IGBT MODULE, 1200V 400AMP RATING, IGBT3 EMITTER-CONTROLLED HIGH-EFFICIENCY DIODE, 3BOLT INPUT CONNECTIONS, 2 2PIN OUTPUT CONNECTIONS
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PAH10016CM
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 222A 1600V, 2U, DUAL THYRISTOR MODULE, ISOLATED BASE
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TD250N16/25KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR POWERBLOCK, SCR DIODE, 1600 / 2500 V, 250 A
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BSM50GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE 50AMP 1200V
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INTERNATIONAL RECTIFIER
IRAMS10UP60B
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INTEGRATED POWER HYBRID IC, FOR APPLIANCE MOTOR DRIVE APPLICATIONS, 10 AMP, 600 V
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EUPEC
T508N12TOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, 510A, 1200V
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FP75R12KT4B16BOSA1
IGBT, 1200 V, 75 A, THREE PHASE PIM, SOLDERABLE PINS, HIGH SWITCHING FREQUENCY, ROHS-COMPLIANT
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EUPEC
5P50-0311
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWERBLOCK, SCR MODULE
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TT46N16KOF
THYRISTOR MODULE POWERBLOCK
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FS50R12KT4PB11BPSA1
IGBT MODULE, 1200V, 100A
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BSM150GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A, 1200V
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EUPEC
T719N12TOF
THYRISTOR DIODE MODULE 57MM
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FZ600R12KE3
SINGLE SWITCH, IGBT MODULE, 1200 V, 600 AMP, EMITTER CONTROLLED, 3 DIODE, 62 MM
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DD104N14K-K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1400V, 104A, SCREW MOUNT
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BSM200GA120DN2FS
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 200A
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BSM25GD120DN2BOSA1
IDBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 35A, 3V, 200W
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FS15R12YT3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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2N685
THYRISTOR SCR 200 V 150 A, 3 PINS, HOUSING 263-02
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EUPEC
BSM200GD60DLC
BLOCK, IGBT SILICON MODULES, 27 A, 600V, 3-PHASE
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104X125DC040
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, THYRISTOR MODULE, 1000-1800V, 50MM
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104X125DC051
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWERBLOCK, DIODE MODULE, 1000-1800B, 50MM
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INFINEON
TD285N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 450A I(T)RMS, 285A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT, MODULE 5
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FP35R12KT4_B16
IGBT MODULE, 1200 V, 35 A THREE PHASE PIM,
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EUPEC
TTB6C110N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 90A I(T)RMS, 110A I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 6 ELEMENT
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FF300R12MS4
IGBT MODULE, IGBT2 FAST SERIES, SILICON, 1200 VOLTS, 370 AMP, -40 TO 150 DEGREE C
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EUPEC
BSTR68L2337
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SEMICONDUCTOR, THYRISTOR MODULE, DISCREET, 3 INCH DIAMETER, 1-1/2 INCH THICKNESS
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BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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FF300R12KS4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 370A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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N718602-30F8
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR
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FP210L100-22
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIFFERENTIAL MAGNETORESISTIVE SENSOR, 1 FUNC, 3 PIN, THROUGH HOLE
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BSM150GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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T1989N14TOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR, 2.68 AMP, 250-300 MA, 40 KA, 1.4 KV, PRESS FIT MOUNT
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BSM50GD120DN2E326
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK, LONG LEADS
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117404-TT250N
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 430 AMP (25 DEG C), 300 AMP (80 DEG C), 1200 V
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SCR MODULE, 160A, 800V, DUAL
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IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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TT330N16KOF
POWER MODULE, THYRISTOR, 1600V, 330A, 115X50 MM
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EUPEC
DT131N1400/2000KOC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, DUAL MODULE, 1 SCR 1400V, 1 SCR 2000V, 220A
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